- · 化学分析计量版面费是多[06/01]
- · 《化学分析计量》投稿方[06/01]
- · 《化学分析计量》期刊栏[06/01]
一、本刊要求作者有严谨的学风和朴实的文风，提倡互相尊重和自由讨论。凡采用他人学说，必须加注说明。 二、不要超过10000字为宜，精粹的短篇，尤为欢迎。 三、请作者将稿件（用WORD格式）发送到下面给出的征文信箱中。 四、凡来稿请作者自留底稿，恕不退稿。 五、为规范排版，请作者在上传修改稿时严格按以下要求： 1．论文要求有题名、摘要、关键词、作者姓名、作者工作单位（名称，省市邮编）等内容一份。 2．基金项目和作者简介按下列格式： 基金项目：项目名称（编号） 作者简介：姓名（出生年－），性别，民族（汉族可省略），籍贯，职称，学位，研究方向。 3．文章一般有引言部分和正文部分，正文部分用阿拉伯数字分级编号法，一般用两级。插图下方应注明图序和图名。表格应采用三线表，表格上方应注明表序和表名。 4．参考文献列出的一般应限于作者直接阅读过的、最主要的、发表在正式出版物上的文献。其他相关注释可用脚注在当页标注。参考文献的著录应执行国家标准GB7714-87的规定，采用顺序编码制。
《炬丰科技-半导体工艺》氧化硅、氮化硅薄膜的
作者:网站采编关键词:
摘要：? SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el元素如碳杂质在整个ON结构中元素含量是均匀的。?图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。 ? 非晶态氮化硅薄膜是已知的
? SIMS被用来确认存在的原始元素和不需要的el元素如碳杂质在整个ON结构中元素含量是均匀的。?图1 显示了一个ON样品的SIMS结果在700°C下30分钟的氮气环境。
? 非晶态氮化硅薄膜是已知的材料科学的不同方面是非常有用的。这些薄膜是一种很好的材料用于技术应用包括太阳能电池辐射冷却栅电介质等。可以沉积氮化硅(SiNx)薄膜通过不同的CVD技术PECVD是其中之一最常用的方法。
结果与讨论 ?
编号JFKJ-21-263
? 利用NH3/SiH4气体混合物采用等离子体增强化学气相沉积平行配置在多晶体硅(mc-Si)上生长氢、非晶态氮化硅。二次离子质谱学采用Rutherford背散射光谱(RBS)、俄歇电子能谱(AES)和能量色散x射线分析了氮化物氧化物堆中的化学成分和化学计量学。研究了退火温度对结构化学组成的影响。在SiNx的热氧化过程中O、N、Si在该结构中重新分布。氧气扩散到了氮层在干氧化过程中生成二氧化硅。 ?
?
摘要
实验
书籍《炬丰科技-半导体工艺》
作者炬丰科技
关键词:SiNx: H;氧化;PECVD;退火温度;元素分析 ?
文章氧化硅、氮化硅薄膜的成分分析
介绍 ?
文章来源：《化学分析计量》 网址: http://www.hxfxjl.cn/zonghexinwen/2022/0602/802.html